Примеси в полупроводники для образования перехода добавляются сплавным или диффузионным методами. В первом случае полупроводник непосредственно сплавляется с материалом примеси, во втором — в вакуумной камере при высокой температуре происходит диффузия атомов из паров примесного материала в полупроводник.

Рис. 231. Германиевый диод

Устройство германиевого диода показано на рис. 231. Основной его частью является тонкая пластина, которая вырезана из монокристалла германия с донаторной примесью (сурьма или мышьяк) и имеет проводимость. В пластину вплавлена капля индия. В результате термодиффузни атомы индия проникают в германий и, будучи акцепторной примесью, образуют слой с проводимостью р. На границе между областями проводимостями возникает рп переход, являющийся запирающим слоем. Площадь пластины германия зависит от силы тока, на которую рассчитывается диод. Пластину припаивают к массивному основанию, которое хорошо отводит от нее тепло во избежание перегрева. К основанию подключен нижний зажим диода. Верхний зажим связан с индиевой наплавкой гибким соединением. Германиевая пластинка защищена герметичным металлическим корпусом. Верхний зажим отделен от крышки корпуса изолирующей втулкой. Анодом является верхний зажим диода, катодом — нижний, прямой ток проходит от индия к германию.