Кремниевые транзисторы изготавливаются в виде триодов типа прп. Средний слой транзистора состоит из монокристаллического кремния с проводимостью, два крайних слоя имеют проводимость. Поскольку проводящие направления переходов при этом изменились на противоположные по сравнению с транзистором типа рпр, то необходимо изменить и полярность включения источников электроэнергии во входной и выходной цепях (рис. 235, б). Устройство мощного кремниевого транзистора показано на рис. 236.

Рис. 236. Кремниевый транзистор: а— продольный разрез; 6 — общий вид

Способы использования германиевых и кремниевых транзисторов являются одинаковыми, изменяется лишь схема их включения в электрические цепи с учетом полярности источников энергии.

Тиристором называется полупроводниковый прибор, состоящий из четырех слоев полупроводников, разделенных тремя рп переходами (рис. 237). Входной электрод тиристора называют анодом, выходной — катодом. Полупроводниковый слой, к которому присоединен электрод управляющего тока, составляет, как и в транзисторе — базу. Проводящее направление тиристора — от анода к катоду. Поэтому тиристор своим анодом соединяется с плюсовым зажимом источника тока, катод — с минусовым. При этом средний переход П2 включен в непроводящем направлении. Тиристор, как и обычный диод, практически не пропускает ток внешней цепи, или говорят — тиристор заперт. Повышая приложенное к тиристору внешнее напряжение, можно достигнуть критического его значения, когда происходит лавинный пробой перехода и тиристор отпирается.